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AI需求推高内存价格：真实缺口仅4%–5% 行业进入结构

2026-07-20 0

2026年7月19日，当前内存与闪存价格显著攀升，主因被普遍归结于人工智能快速发展带来的强劲需求，进而引发阶段性供需失衡。过去一年间，主流内存模组价格平均上涨约五倍，部分型号涨幅甚至接近十倍。

表面看，行业产能似乎已逼近极限，但来自半导体产业链内部的知情人士指出，所谓“严重缺货”的说法存在明显夸大成分。

据其透露，截至2026年，实际内存供应缺口约为百分之四至五。此前市场普遍预期2025年将出现百分之八至九的短缺，这一预判已被证实过度保守。关键在于，三星、SK海力士等头部厂商已顺利完成从1b纳米制程向1c纳米制程的技术升级。该工艺跃迁显著提升了单位晶圆的存储位密度，有效弥补了原有产能缺口。

展望后续，随着美光与三星在2027年全面启用新一代晶圆厂，预计全年缺口将进一步收窄至百分之三左右。进入2028年，上半年仍可能存在百分之二至三的短期波动性缺口，但自下半年起，全行业将实现产能与需求的基本平衡，价格也将随之进入平稳回落通道。

需要强调的是，内存真实产能缺口的确切数值尚无统一权威口径。人工智能应用扩张确为事实，高带宽内存HBM对先进制程资源的占用也真实存在。但若缺口真如某些说法所言高达百分之五十，则当前全球范围内的AI基础设施投资早已难以为继。

至于前述业内人士所称的百分之四至五缺口是否完全准确，目前尚无法独立验证。不过，近期多家国际权威金融机构发布的分析显示：2026年第二季度确为本轮周期中供应最紧张阶段，缺口水平约为百分之八；2027年将基本实现供需均衡，缺口缩至百分之二以内；自2028年起，行业或将整体转入温和供给过剩状态。

综上，本轮内存价格大幅上扬，与其说是纯粹由AI需求激增所驱动的被动性产能瓶颈，不如视为多重因素交织下的结构性现象——其中既有技术迭代节奏与资本投入周期的错配，也包含市场预期引导、供应节奏调控及行业话语权集中所带来的主动调节成分。值得关注的是，主要厂商近期持续释放信号，将内存紧缺周期延展至2030年之后，暗示下一轮产业周期或将持续十年之久。

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