三星电子HBM5细节曝光或采用铜基HPB散热技术计划2028年实现量产

2026-06-03 0

在Computex 2026展会上，三星电子展示了第八代HBM5芯片及其独创的HPB散热方案，为AI算力场景高密度集成环境开辟了新的热管理路径。

三星电子HBM5细节曝光或采用铜基HPB散热技术预计2028年实现量产

据韩媒报道，三星电子正计划将自主研发的2nm工艺芯片用于HBM5生产，该产品有望在2028年左右进入量产阶段。HPB作为核心热管理技术，将在其中大规模应用。

具体来看，HPB是一种封装在芯片内部的金属导热结构，常用铜基材料制成，其导热效率相比聚合物基材料高出约500至1000倍。

三星电子首席技术官宋载赫表示：“通过增加类似烟囱的独立传热路径，我们有效降低了芯片运行温度，提升了运行稳定性。未来，该技术在高带宽、高密度人工智能环境中，将对提升下一代HBM性能和系统效率发挥关键作用。”

宋载赫透露，HPB技术已在HBM4E芯片中完成应用验证，其可靠性与稳定性得到了充分检验。

作为技术验证的关键步骤，三星电子此前在Exynos 2600芯片中引入HPB技术，使处理器散热性能提升30%，表明该散热技术具备进入移动处理器市场的潜力。

当前，AI基础设施对散热需求旺盛，多种热管理技术正加速在存储领域涌现。

5月26日，SK海力士推出iHBM解决方案，通过在HBM封装内集成“ICE”冷却元件来降低发热量，该技术也将用于HBM5等下一代产品。SK海力士表示，该技术兼容现有SiP系统级封装环境，客户无需大规模设计改动即可直接部署。

两家企业为何纷纷革新HBM散热技术？

分析机构指出，HBM5架构在提升数据处理速度的同时，也导致内部发热量激增。特别是D2D PHY区域，被视为芯片内部主要热源之一。HPB和iHBM技术通过在这些区域建立独立散热路径，改善了热传导，降低了热阻，增强了系统稳定性。

在散热技术集体升级的预期下，HBM市场仍可能供不应求。TrendForce集邦咨询最新研究显示，三大原厂的年度议价机制导致HBM合约价无法及时反映季度涨价趋势。随着进入2Q26，买卖双方正在为2027年的HBM4供应进行谈判。TrendForce认为，鉴于DRAM供不应求、高制造难度和成本，三大原厂将在2027年大幅调高HBM报价。

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